SMD -описание и маркировка.
Транзистором в электронике называют деталь из полупроводника, способную управлять значительным по силе электрическим током во входной электроцепи.
Современные электронные приборы весьма насыщены smd транзисторами.
Данные элементы выполняют следующие функции:
·
преобразование и
коммутация электросигналов;
·
усиление тока;
·
генерация электротока.
Данных деталей выпущено великое множество, поэтому ремонтники и простые радиолюбители должны знать, по каким правилам выполняется кодовая маркировка smd транзисторов.
Ведь именно в ней
прописываются smd транзисторы параметры.
В данной статье читатель не найдёт полной
таблицы с маркировками все транзисторов. Но кое что об основных её системах мы
расскажем.
Разновидности маркировок.
Производители до сих пор не разработали единого стандарта маркирования транзисторов СМД.
Поэтому кодовая маркировка smd транзисторов может осуществляться по трём системам.
О каждой из них надо
упомянуть поподробнее.
JEDEC — система маркировки полупроводниковых
элементов
Она состоит из трёх или четырёх элементов. Они означают:
·
первый количество п-н
переходов;
·
второй — тип номинал;
·
третий — серийный номер;
· четвёртый (при наличии) модификацию устройства.
Европейская система маркировки SMD.
На корпусе транзистора прописываются три
элемента, каждый из которых несёт свою смысловую нагрузку:
·
первый обозначает
разновидность исходного материала;
·
второй обозначает подкласс
прибора;
·
третий обозначает область
применения данного элемента;
·
четвёртый и пятый основную
спецификацию.
Японская система.
В этой системе на корпус прибора наносятся шесть
элементов. Они обозначают:
·
первый — класс прибора;
·
второй — буква S, ставящаяся на все полупроводники;
·
третий — тип устройства по
исполнению;
·
четвёртый — номер
регистрационный;
·
пятый — индекс модификации;
·
шестой (не является
обязательным) — отношение к существующим стандартам.
Опознать
транзистор smd по маркировке — значит правильно начать работать с данной
деталью.
Стандарты smd транзисторов.
Международный стандарт IEEE относится к американским
условиям стандартизации и обозначению элементов.
Своего рода это пиктограммы элементов и обозначений.
На самом деле существует ещё и российский стандарт ГОСТ Р МЭК 61192-1-2010, который связан с европейскими стандартами для качества печатных плат и качества пайки печатных плат.
SOT 23.
Small Outline Transistor это расшифровка корпуса.
SOT-23 это распространенный тип
корпусов, который может отличаться количеством выводов.
Стандарт размера:
3 х 1,75 х 1,3 мм это размеры корпуса sot-23.
В таком корпусе выпускаются и диодные сборки и биполярники.
SOT-23 это обычно транзистор с 3
ножками, но бывают и другие модели.
Например SOT23-5 это маркировка транзистора с пятью ножками или выводами.
Особенностью таких транзисторов, в мини корпусе под аббревиатурой sot может быть чувствительность к
статическому электричеству.
Ещё одним видом mosfet ( МОП) транзисторов являются более современные HEXFET - транзисторы.
Они изготовлены на основе множества кристаллов спаянных на чипе, и эти кристаллы имеют параллельное подключение, что даёт огромные токи при малых напряжениях.
Это т же принцип реализует питание процессора компьютера, где подаются напряжения 1,7-2,5V.
Расшифровка SMD параметров. (для транзисторов )
В описании приведены только параметры транзисторов SMD формата. Для конденсаторов этого типа существуют отдельные обозначения. Например для измерения емкости SMD конденсатора пользуются очень малыми емкостями.
Нам так же требуется знать про существование таких понятий, которые приводятся в этих таблицах Такие понятия как:
-IGSS gate -to source leakage reverse-ток утечки затвора в маленьких
транзисторах.
-IDSS-ток утечки стока.
-IAR - обозначение l(max) на
стоке.
-EAR- самая большая энергия импульса на стоке.
-Tj-номинальная рабочая температура транзистора.
- td (on)-время открытия затвора.
- tr - время напоминания импульса.
- td (off)- время закрытия затвора
- tf - время за которое затухает импульс
- Ciss-емкость затвора на входе.
- Coss-выходная емкость затвор-исток и исток-сток
- VSD (diode forward voltage) - падение напряжения на диоде между истоком и стоком.
- trr reverse recovery time-время обратного восстановления диода наносекунд
-Qg total gate charge- это некоторое количество энергии , в которой нуждается затвор транзистора для его открытия.
-Qgs-заряд емкости затвор-исток. Обозначение объема заряда между затвором и истоком.
-Qgd-
величина заряда между затвором и стоком, которую называют в учебниках ёмкостью
Миллера.
-EAS- это обозначение максимальной энергии одного импульса частоты на стоке транзистора.