Mosfeet и JFET Транзисторы

Что такое Mosfeet транзистор

Название mosfeet транзистор пришло от сокращения  - Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor.

Так же фигурируют параллельные названия мосфетов, такие как:

• МОП - общая абравиатура полевых транзисторов,
• транзистор с изолированным затвором MOS,
• полевик,
• МДП-транзистор.

4 полюса- это mosfet.

Mosfet это четырех полюсной транзистор.

Существует так же тип (junction gate field-effect transistor) - JFET транзистор, который  относится к простым транзисторам, но весьма современным.

Mosfet транзистор относится к полевым, на основе оксидов метала и полупроводников.

Mosfeet имеет изолированный затвор - это основное характерное отличие мосфетов от других видов полевиков.

Как и все транзисторы он имеет исток , сток, затвор.

MESFET полевики.

Есть ещё вид полевиков MESFET - Metal Semiconductor Field Effect Transistor - металл-полупроводниковый и, так же, полевой транзистор считается более эффективной моделью MOSFEET транзисторов.

Они  нашли свое применение в создании микроволновых частот от 300 МГц и до 300 ГГци и технике которая работает в этом диапазоне..

Материаллы изготовления.

Наиболее встречается материал  (SiO2) как изолятор.

Название «металл – оксид – полупроводник»  получило как МОП транзистор.

МОП транзистор, такой же Mosfeet, и изготавливается с помощью окисления кремниевых подложек, в результате используется тот же самый материал SiO2

Метпло- оксидныц полупроводник работает в двух режимах: насыщения и истощения.

N-канальный тип насыщения MOSFET.

P-канальный тип насыщения MOSFET.

Для справки:

К полупроводникам относятся как чистые элементы (Cr, Se, Ge), так и химические соединения

• GaSb - антимонид галлия
• AlSb антимонид алюминия
• InAs  - арсенид Индия.
• Cu2O - оксид меди.

Режимы работы mosfet

На истощении выключен, когда напряжение затвора равно =0.

В режиме насыщения выключен когда на затворе напряжение равно =0.

 Разница между JFET и MOSFET

Основные отличия что MOSFET четырех полюсный транзистор а JFET трехполюсный.

MOSFET может работать в режиме истощения / насыщения а JFET только в режиме истощения.

К превышению напряжению устойчивы меньшее MOSFET .

JFET может иметь значительно выше коэффициент усиления, чем MOSFET.

Так же по мнениям многих авторов у JFET существует минимальная проводимость, которая запирается при подачи на исток напряжения обратной полярности.

JFET по своим свойствам имеют более низкий уровень дополнительных шумов, что можно учитывать при построение блоков питания.